长鑫科技4F²架构第六代DRAM平台完成工程样片验证

要点

长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。这是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台基于4F²架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆…

长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。这是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台基于4F²架构。

按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期。在完成客户端验证后，该平台可进入规模量产阶段。

4F²架构通过更紧凑的布局缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度。长鑫科技表示，前瞻技术及新产品不会在短期全部转化为当期利润，更多是构筑中长期竞争力。

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