光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期开工
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光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期开工 11月1日，光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目（一期）在武汉东湖综合保税区的高端光电器件产业基地开工。 据长江日报、中国证券网等报道，该项目位于东湖综保区，规划总建筑面积16.63万平方米，建设工期14个月，计划202…
光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期开工
11月1日，光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目（一期）在武汉东湖综合保税区的高端光电器件产业基地开工。
据长江日报、中国证券网等报道，该项目位于东湖综保区，规划总建筑面积16.63万平方米，建设工期14个月，计划2027年底完成竣工验收。项目规划产品包括800G到12.8T高速光模块/光引擎等新一代全光通信及光互连高端产品，达产后年产高速光模块超1000万只。
光迅科技方面表示，项目将持续导入世界级先进工艺和自动化装备，全面提升高端光电子及硅光芯片器件的研发与规模制造能力，并围绕下一代可插拔光模块、CPO/NPO（共封装/近封装光学）光引擎、全光交换等前沿方向攻关，打通开发、验证、量产全链条。
光迅科技是中国信科集团旗下主力公司、国内首家上市光电子企业，连续20年位列”中国光器件最具竞争力企业10强”榜首，曾研制出国内第一支长波长半导体激光器、国内第一台掺铒光纤放大器，并发布全球首款6.4T NPO光模块，是唯一具备从芯片、器件、模块到解决方案全链条垂直整合能力的企业。
业绩方面，光迅科技2026年第三季度经营业绩创历史新高，实现营业收入50.73亿元，同比增长54.27%；归母净利润7.02亿元，同比增长102.62%。高速光模块出货占比持续提升，400G、800G产品持续规模交付，1.6T产品实现批量交付，带动综合毛利率提升至25.52%、净利率提升至10.9%。
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