国内首款12英寸多晶碳化硅衬底在长沙问世 国产散热材料破解AI芯片热墙 2027年规模供货
要点
10月29日，据长沙晚报与中国证券报报道，国内首款12英寸多晶碳化硅衬底在湖南长沙问世。该产品由湖南泰坦未来科技有限公司历经两年多全流程原创攻关研制，直指AI芯片与先进封装的散热瓶颈，目前正由样品验证转向小批量试产，预计2027年后逐步规模化供货。 按长沙晚报报道，多晶碳化硅衬…
10月29日，据长沙晚报与中国证券报报道，国内首款12英寸多晶碳化硅衬底在湖南长沙问世。该产品由湖南泰坦未来科技有限公司历经两年多全流程原创攻关研制，直指AI芯片与先进封装的散热瓶颈，目前正由样品验证转向小批量试产，预计2027年后逐步规模化供货。
按长沙晚报报道，多晶碳化硅衬底直径约300毫米，由许多微小碳化硅晶粒构成，导热率做到280W/(m·K)以上，是传统硅基材料的两倍多；中国证券报报道则称其热导率超300W/(m·K)，导热性能是传统氮化铝、铜方案的2至3倍，成本较现有方案降低近20%。
需求来自AI芯片功率的抬升。据长沙晚报报道，英伟达GPU芯片功率已从H200的700W提高到B300的1400W，集成HBM4的Rubin系列多芯片产品功率已接近2000W。泰坦未来总经理汪徵的表述是，”现在大量AI芯片功率超过1000瓦，高速运行时热量聚集散不出去，芯片要么烧坏要么降频使用”。按中国证券报援引东方证券研究观点，在CoWoS等先进封装中采用碳化硅中介层后，可使GPU芯片结温降低20℃至30℃、散热成本降低30%。
制造端的指标是这家公司给出的竞争点。据长沙晚报报道，该衬底沉积速度达每小时60微米，高于国内外同行10至20微米的水平；最低电阻率可小于1毫欧·厘米，优于国外同行约10毫欧·厘米；孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，衬底粒径尺寸小于10微米。据成都市集成电路行业协会报道，公司通过气相沉积、超临界多相法TaC涂层等自研核心技术，实现零长裂纹、微裂纹与极低孔洞缺陷。
大尺寸成型的难度是可量化的。据长沙晚报报道，6英寸与8英寸多晶碳化硅已有单位能小批量供货，但用于AI芯片边际效益太低，做成12英寸才能显著提升材料产量、降低单位成本；团队为做成厚膜损耗了两台气相沉积炉，陆续攻克材料致密化、大尺寸成型、应力调控等难题。
客户侧进展同步推进。据长沙晚报报道，该产品已通过台积电相关认证测试并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等头部企业展开合作。据成都市集成电路行业协会报道，公司2026年投资新建高纯高致密碳化硅部件及多晶衬底产业基地项目，全面投产后可年产20万片半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层产品。
支撑这些指标的是一支材料学背景的团队。据长沙晚报报道，泰坦未来的技术根脉在中南大学粉末冶金研究院，公司60人中有10位中南大学博士，创始人熊翔是中南大学粉末冶金研究院教授、博士生导师，曾参与组建上市公司湖南博云新材料并出任总经理、副董事长。
AI算力的瓶颈正从芯片本身向散热外溢，而散热材料此前长期依赖进口。国内首款12英寸产品在样品层面完成了这一环节的概念验证，但有供应链信息称目前12英寸碳化硅衬底成本高达每片2万美元，规模化量产被视为降本前提。这家公司的下一道关，是把中试线跑通的良率与良本，直接换算成2027年后的供货能力。
