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企业级IT与信创国产化深度观察 | 大观视界
设备特点 配备立体高密度等离子源以及超高效率离子过滤技术,精准调控反应粒子能量分布。 更高刻蚀选择比,刻蚀材料宽泛。 极高的材料选择比可大幅减掩膜厚度,有效简化前后道制程工序。 配备OES Plus监测腔室稳定性,确保批次运行的高重复性。 产品应用 晶圆尺寸 12" 适用领域 集成电路 适用工艺 横向刻蚀,表面损伤层处理,氮化钛刻蚀 适用材料 硅、氧化硅、氮化硅、氮化钛、钨、氧化铪 分享我们: 微