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企业级IT与信创国产化深度观察 | 大观视界

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北方华创

收录该频道产品，支持按分类与品牌筛选 共 30 款

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北方华创 Cygnus Optima Prime 介质薄膜沉积系统
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北方华创 Cygnus Optima Prime 介质薄膜沉积系统

Cygnus Optima Prime 介质薄膜沉积系统 Cygnus Optima Prime PECVD System Cygnus Optima Prime产品是一款针对以硅烷为反应物制备氧化硅/氮化硅/氮氧化硅/碳氧化硅薄膜的化学气相沉积设备，适用于集成电路、功率半导体等领域，可实现对12英寸晶圆的全自动化工艺处理。该系统采用标准化的传输系统和模块化的工艺腔室设计，配置灵活、工艺窗口宽、功

Cygnus Optima Prime 介质薄膜沉积系统 19 项参数 ›
北方华创 3080D系列 12英寸单片清洗设备
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北方华创 3080D系列 12英寸单片清洗设备

3080D系列 12英寸单片清洗设备 3080D Series 12 Inch Single Wafer Clean Tool 用于集成电路，先进封装、新兴应用等领域12英寸后段清洗工艺，支持正反面多种化学品应用。采用多片式传输系统保障高效工艺产出；精密的腔室及卡盘设计支持超高的化学品回收效率；搭载热异丙醇（IPA）干燥技术，实现良好的干燥效果。

3080D系列 12英寸单片清洗设备 20 项参数 ›
北方华创 Polaris H630 PVD 氮化钛金属硬掩膜物理气相沉积系统
北方华创

北方华创 Polaris H630 PVD 氮化钛金属硬掩膜物理气相沉积系统

Polaris H630 PVD 氮化钛金属硬掩膜物理气相沉积系统 Polaris H630 PVD TiN Metal HardMask PVD System Polaris H630 在IC制备流程后段工艺（BEOL）中应用广泛。搭配的exiTin TTN腔室为标准PVD腔室，主要沉积高纯度的TiN薄膜，重点应用于集成电路制造后道的金属硬掩膜工序薄膜，可同时满足较好的厚度均匀性和Rs均匀性。

Polaris H630 PVD 氮化钛金属硬掩膜物理气相沉积系统 20 项参数 ›
北方华创 iTops A230Ⅱ PVD AlN铝溅射系统
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北方华创 iTops A230Ⅱ PVD AlN铝溅射系统

设备特点 极高的加热能力、精确的温度控制、优异的真空能力 高晶体质量的氮化铝薄膜及优异的薄膜厚度均匀性 占地面积小，结构简单，操作灵活，维修方便 设备稳定，稼动率高，运营成本低 产品应用 晶圆尺寸 2/4/6 英寸兼容 适用材料 氮化铝 适用工艺 氮化铝缓冲层溅射 分享我们： 微信扫一扫

iTops A230Ⅱ PVD AlN铝溅射系统 21 项参数 ›
北方华创 PSE V300(Gi) 高精度深硅刻蚀机
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北方华创 PSE V300(Gi) 高精度深硅刻蚀机

设备特点 搭载先进的气体流场腔室架构，内置自研高精密关键参数动态调节（Ramp）功能。 完美兼容 Bosch/Non-Bosch 双工艺，实现超高深宽比微纳结构形貌控制，具备极致的低 Scallop（侧壁粗糙度）、高刻蚀速率以及优越的底角（Footing/Notch）控制能力。 优化的反应腔流场设计实现片内与片间的均匀性，缩短辅助工艺耗时，提升量产的单晶圆综合产出。 具备极高重复性与工艺稳定性，依

PSE V300(Gi) 高精度深硅刻蚀机 19 项参数 ›
北方华创 Polaris系列 12英寸背面金属物理气相沉积系统
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北方华创 Polaris系列 12英寸背面金属物理气相沉积系统

设备特点 独特的磁控溅射源和腔室结构的设计有效提高靶材利用率 灵活的腔室配置，优化的工艺流程带来大产能表现，低运营成本 针对功率半导体领域优化、稳定的传输系统，兼容翘曲片、键合片、薄片等多种类型基片传输 良好的颗粒和应力控制能力 产品应用 晶圆尺寸 12 英寸 适用材料 铝、镍钒、银、钛 适用工艺 背面金属化工艺 分享我们： 微信扫一扫

Polaris系列 12英寸背面金属物理气相沉积系统 21 项参数 ›
北方华创 ACE I300V 干法去胶机
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北方华创 ACE I300V 干法去胶机

设备特点 配备低损伤感应耦合等离子体（ICP）源系统，支持真空传输配置。 具备业界领先的超物理损伤控制，满足不同制程的多种去胶工艺需求。 产能高，去胶速率快，运营成本低。 搭载高度定制化的智能自控软件，依托华创完善的本土备件网络提供无忧售后保障。 产品应用 晶圆尺寸 12" 适用领域 集成电路、先进封装、化合物半导体、新兴应用与科研领域设备 适用工艺 干法去胶 适用材料 光刻胶 分享我们： 微信扫

ACE I300V 干法去胶机 21 项参数 ›
北方华创 ACE E300Ge 高选择比刻蚀机
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北方华创 ACE E300Ge 高选择比刻蚀机

设备特点 配备立体高密度等离子源以及超高效率离子过滤技术，精准调控反应粒子能量分布。 更高刻蚀选择比，刻蚀材料宽泛。 极高的材料选择比可大幅减掩膜厚度，有效简化前后道制程工序。 配备OES Plus监测腔室稳定性，确保批次运行的高重复性。 产品应用 晶圆尺寸 12" 适用领域 集成电路 适用工艺 横向刻蚀，表面损伤层处理，氮化钛刻蚀 适用材料 硅、氧化硅、氮化硅、氮化钛、钨、氧化铪 分享我们： 微

ACE E300Ge 高选择比刻蚀机 21 项参数 ›
北方华创 Pollux Luxon HTUV 低/超低介电常数薄膜紫外处理系统
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北方华创 Pollux Luxon HTUV 低/超低介电常数薄膜紫外处理系统

Pollux Luxon HTUV 低/超低介电常数薄膜紫外处理系统 Pollux Luxon HTUV UV Cure System Pollux Luxon HTUV产品是一款针对后段紫外固化处理薄膜的化学气相沉积设备，适用于集成电路、功率半导体等领域，可实现对12英寸晶圆的全自动化工艺处理。该系统采用标准化的传输系统和模块化的工艺腔室设计，配置灵活、工艺窗口宽、功能集成度高，各项工艺技术指标

Pollux Luxon HTUV 低/超低介电常数薄膜紫外处理系统 21 项参数 ›
北方华创 Scaler HK430 热原子层沉积系统
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北方华创 Scaler HK430 热原子层沉积系统

Scaler HK430 热原子层沉积系统 Scaler HK430 Thermal ALD System Scaler HK430主要用于12英寸高介电常数材料薄膜的沉积工艺。设备能够实现优异的工艺稳定性控制，达成更好的薄膜沉积均匀性及优异的颗粒控制表现。在结构系统方面，采用每腔单片式设计，在气流场均匀性、温度控制等方面表现优异，单片工艺结果一致性大幅提高；在软件方面，通过全自动流程及相关数据监

Scaler HK430 热原子层沉积系统 21 项参数 ›
北方华创 NMC 612E系列 12英寸ICP刻蚀机
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北方华创 NMC 612E系列 12英寸ICP刻蚀机

NMC 612E系列 12英寸ICP刻蚀机 NMC 612E Series 12 Inch ICP Etcher NMC612E系列是应用于12英寸等离子体干法刻蚀设备。该设备具有更灵活的脉冲等离子体控制技术，实现对等离子成分和离子能量的精确调控，能够实现更小尺寸、更高深宽比刻蚀的精准形貌控制能力，并配备多区温控静电吸附卡盘，实现更精确的温度控制；同时具备高均一气流场控制系统及灵活气流场分布调节能

NMC 612E系列 12英寸ICP刻蚀机 20 项参数 ›
北方华创 Polaris系列 8英寸通用物理气相沉积系统
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北方华创 Polaris系列 8英寸通用物理气相沉积系统

Polaris系列 8英寸通用物理气相沉积系统 Polaris Series 8 Inch General PVD System Polaris 系列PVD金属薄膜物理气相沉积系统主要由真空传输平台，去气腔室，预清洁腔室和工艺腔室组成，设备采用Cluster Tool架构，可配置多个工艺腔室、预清洗腔室和去气腔室，适合封装领域薄膜制备大规模生产。Polaris 系列PVD为全自动大产能设备，具有w

Polaris系列 8英寸通用物理气相沉积系统 21 项参数 ›